ラピダスの次世代半導体開発に5900億円規模の追加支援

経済産業省は、次世代半導体の製造拠点を目指すラピダスに5,900億円規模の追加支援を決定した。前工程プロジェクトへの追加で上限5,365億円、新たに開始する先端後工程プロジェクトについては、上限535億円の支援額となる。

ラピダスは、前工程の「日米連携に基づく2nm世代半導体の集積化技術と短TAT製造技術の研究開発」において、北海道千歳市で製造拠点IIMの建設などを進めてきたが、NEDOにより2024年度の計画と予算が承認。IBMらとの共同研究を継続し、量産を意識した製造プロセスの精度改善や製造拠点への装置導入などを行なう。2025年4月からのパイロットライン稼働に向け、クリーンルームの稼働開始、EUV露光機をはじめとする製造装置の導入を進める。

新たな後工程のプロジェクト(2nm世代半導体のチップレットパッケージ設計・製造技術開発)の支援も決定。2nm世代の半導体を用いたパッケージの大型化や低消費電力化を実現する実装量産技術・設計に必要なデザインキット、チップレットのテスト技術の確立を目的に、チップレットパッケージの設計・製造技術を開発していく。この後工程に関しては、千歳市の工業団地・美々ワールド内で建設中のIIMに隣接するセイコーエプソン 千歳事業所(北海道千歳市美々758-173)の一部を活用し、パイロット段階の研究開発を進める。

セイコーエプソン 千歳事業所